2025 未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會即將召開，聚焦金剛石等新一代半導(dǎo)體材料突破

在人工智能、量子計算與新能源革命風起云涌的時代浪潮下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處在性能迭代與材料創(chuàng)新的雙重挑戰(zhàn)的十字路口。如今，金剛石以其超寬禁帶、高熱導(dǎo)率及高電子遷移率等卓越特性，嶄露頭角，被視為突破傳統(tǒng)硅基材料性能極限的關(guān)鍵候選材料。其戰(zhàn)略價值不僅體現(xiàn)在自身材料優(yōu)勢上，更在于跨越材料體系，與第三代半導(dǎo)體（如碳化硅、氮化鎵）及碳基電子技術(shù)、第四代（氧化鎵）半導(dǎo)體的協(xié)同創(chuàng)新潛力巨大。

然而，當前金剛石在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展卻面臨著重重瓶頸。面對未來產(chǎn)業(yè)對小型化、低功耗芯片的迫切需求，金剛石技術(shù)的商業(yè)化之路亟待打通材料研發(fā)、裝備升級、終端驗證的產(chǎn)業(yè)閉環(huán)。

在此背景下，“2025 未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新”大會將于5月22日至24日在江蘇蘇州（吳中希爾頓逸林酒店）盛大召開。本次大會由國家第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心（蘇州）、西安交通大學、Flink 啟明產(chǎn)鏈聯(lián)合舉辦。

本屆大會從氮化鎵、碳化硅、金剛石、氧化鎵等新一代半導(dǎo)體材料入手，深入聚焦生長、異質(zhì)集成、封裝、晶圓減薄、平坦化工藝以及高功率器件散熱解決方案等關(guān)鍵領(lǐng)域。大會致力于搭建產(chǎn)學研協(xié)同平臺，推動金剛石與其他半導(dǎo)體技術(shù)的深度融合，積極探索新型半導(dǎo)體材料與未來產(chǎn)業(yè)需求的適配路徑，為構(gòu)建可持續(xù)的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈體系注入源源不斷的創(chuàng)新動能。

屆時，眾多行業(yè)專家、學者以及企業(yè)代表將齊聚一堂，共同探討半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢，分享創(chuàng)新成果與實踐經(jīng)驗，攜手為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展出謀劃策，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在新材料的推動下邁向新的高峰，開啟未來產(chǎn)業(yè)的新篇章。

注：詳細信息請以官方通知為準