深圳新凱來設(shè)備發(fā)布，推動中國半導體自主可控進程

   在SEMICON China 2025展會期間，深圳市新凱來技術(shù)有限公司攜五款自主研發(fā)的半導體核心工藝設(shè)備震撼亮相，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。此次發(fā)布的外延沉積設(shè)備EPI（峨眉山）、原子層沉積設(shè)備ALD（阿里山）、物理氣相沉積設(shè)備PVD（普陀山）、刻蝕設(shè)備ETCH（武夷山）及薄膜沉積設(shè)備CVD（長白山），精準覆蓋了晶圓制造八大核心工藝中的五個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，標志著中國半導體裝備自主化取得突破性進展。

突破"卡脖子"瓶頸：國產(chǎn)設(shè)備實現(xiàn)從0到1的跨越

我國半導體產(chǎn)業(yè)長期受制于高端裝備依賴進口的困境。以ALD（原子層沉積）設(shè)備為例，該技術(shù)在3nm先進制程中承擔高k介質(zhì)/金屬柵極薄膜沉積任務(wù)，此前全球市場被ASM International等歐美巨頭壟斷。新凱來發(fā)布的阿里山ALD設(shè)備采用自主研發(fā)的脈沖式等離子體增強技術(shù)，實現(xiàn)≤2?精度的原子級薄膜沉積，成功打破技術(shù)封鎖。

EPI（峨眉山）設(shè)備在8英寸功率半導體領(lǐng)域已實現(xiàn)國產(chǎn)替代，其外延層均勻性達到±0.5%國際先進水平，正在開發(fā)的12英寸版本將直接對標美國AXT公司的AXT-4000。ETCH（武夷山）系列等離子體刻蝕機采用射頻感應耦合技術(shù)，可在5nm節(jié)點實現(xiàn)≥95%的刻蝕選擇比，關(guān)鍵指標超越東京電子同類產(chǎn)品。

構(gòu)建垂直整合生態(tài)：設(shè)備國產(chǎn)化撬動產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

新凱來發(fā)布的普陀山PVD設(shè)備已與中微公司、盛美上海形成國產(chǎn)PVD/CVD設(shè)備矩陣，正在適配長江存儲的128層3D NAND量產(chǎn)線。這種"設(shè)備集群效應"正在重塑國產(chǎn)半導體制造生態(tài)：

上游材料：峨眉山EPI設(shè)備的硅烷噴淋系統(tǒng)采用北方華創(chuàng)提供的國產(chǎn)噴頭，帶動國內(nèi)高純度硅烷氣供應鏈升級；

中游制造：阿里山ALD設(shè)備已進入中芯國際FinFET中試線，與華海清科CMP設(shè)備形成前道工藝協(xié)同；

下游應用：武夷山ETCH設(shè)備正在為比亞迪半導體IGBT產(chǎn)線定制開發(fā)碳化硅刻蝕工藝包。

技術(shù)迭代與市場雙輪驅(qū)動：國產(chǎn)設(shè)備迎來戰(zhàn)略機遇期

隨著全球晶圓產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移（2025年中國大陸晶圓產(chǎn)能占比預計達23%），國產(chǎn)設(shè)備的市場空間持續(xù)擴大。新凱來發(fā)布的長白山CVD設(shè)備以25%的價格優(yōu)勢切入國內(nèi)8英寸市場，已獲得華潤微電子5臺訂單。公司董事長劉明遠表示："我們正構(gòu)建'設(shè)備即服務(wù)'（EaaS）商業(yè)模式，通過云端實時監(jiān)控設(shè)備健康度，將設(shè)備綜合利用率（OEE）從行業(yè)平均65%提升至82%。"

技術(shù)路線圖升級：瞄準下一代半導體技術(shù)制高點

新凱來已啟動"量子點沉積"與"選擇性外延"兩項前瞻技術(shù)攻關(guān)。峨眉山EPI平臺正在開發(fā)的橫向擴散外延技術(shù)（Lateral Epitaxy），有望解決SiC外延材料成本瓶頸；阿里山ALD設(shè)備正在適配2nm節(jié)點所需的鈷/釕金屬沉積工藝，提前布局后摩爾時代。