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    深圳新凱來設(shè)備發(fā)布,推動(dòng)中國半導(dǎo)體自主可控進(jìn)程

       在SEMICON China 2025展會(huì)期間,深圳市新凱來技術(shù)有限公司攜五款自主研發(fā)的半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備震撼亮相,引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。此次發(fā)布的外延沉積設(shè)備EPI(峨眉山)、原子層沉積設(shè)備ALD(阿里山)、物理氣相沉積設(shè)備PVD(普陀山)、刻蝕設(shè)備ETCH(武夷山)及薄膜沉積設(shè)備CVD(長(zhǎng)白山),精準(zhǔn)覆蓋了晶圓制造八大核心工藝中的五個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),標(biāo)志著中國半導(dǎo)體裝備自主化取得突破性進(jìn)展。


    突破"卡脖子"瓶頸:國產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)從0到1的跨越

    我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期受制于高端裝備依賴進(jìn)口的困境。以ALD(原子層沉積)設(shè)備為例,該技術(shù)在3nm先進(jìn)制程中承擔(dān)高k介質(zhì)/金屬柵極薄膜沉積任務(wù),此前全球市場(chǎng)被ASM International等歐美巨頭壟斷。新凱來發(fā)布的阿里山ALD設(shè)備采用自主研發(fā)的脈沖式等離子體增強(qiáng)技術(shù),實(shí)現(xiàn)≤2?精度的原子級(jí)薄膜沉積,成功打破技術(shù)封鎖。

    EPI(峨眉山)設(shè)備在8英寸功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代,其外延層均勻性達(dá)到±0.5%國際先進(jìn)水平,正在開發(fā)的12英寸版本將直接對(duì)標(biāo)美國AXT公司的AXT-4000。ETCH(武夷山)系列等離子體刻蝕機(jī)采用射頻感應(yīng)耦合技術(shù),可在5nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)≥95%的刻蝕選擇比,關(guān)鍵指標(biāo)超越東京電子同類產(chǎn)品。

    構(gòu)建垂直整合生態(tài):設(shè)備國產(chǎn)化撬動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

    新凱來發(fā)布的普陀山PVD設(shè)備已與中微公司、盛美上海形成國產(chǎn)PVD/CVD設(shè)備矩陣,正在適配長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層3D NAND量產(chǎn)線。這種"設(shè)備集群效應(yīng)"正在重塑國產(chǎn)半導(dǎo)體制造生態(tài):

    上游材料:峨眉山EPI設(shè)備的硅烷噴淋系統(tǒng)采用北方華創(chuàng)提供的國產(chǎn)噴頭,帶動(dòng)國內(nèi)高純度硅烷氣供應(yīng)鏈升級(jí);

    中游制造:阿里山ALD設(shè)備已進(jìn)入中芯國際FinFET中試線,與華海清科CMP設(shè)備形成前道工藝協(xié)同;

    下游應(yīng)用:武夷山ETCH設(shè)備正在為比亞迪半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)線定制開發(fā)碳化硅刻蝕工藝包。


    技術(shù)迭代與市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng):國產(chǎn)設(shè)備迎來戰(zhàn)略機(jī)遇期

    隨著全球晶圓產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移(2025年中國大陸晶圓產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)達(dá)23%),國產(chǎn)設(shè)備的市場(chǎng)空間持續(xù)擴(kuò)大。新凱來發(fā)布的長(zhǎng)白山CVD設(shè)備以25%的價(jià)格優(yōu)勢(shì)切入國內(nèi)8英寸市場(chǎng),已獲得華潤(rùn)微電子5臺(tái)訂單。公司董事長(zhǎng)劉明遠(yuǎn)表示:"我們正構(gòu)建'設(shè)備即服務(wù)'(EaaS)商業(yè)模式,通過云端實(shí)時(shí)監(jiān)控設(shè)備健康度,將設(shè)備綜合利用率(OEE)從行業(yè)平均65%提升至82%。"

    技術(shù)路線圖升級(jí):瞄準(zhǔn)下一代半導(dǎo)體技術(shù)制高點(diǎn)

    新凱來已啟動(dòng)"量子點(diǎn)沉積"與"選擇性外延"兩項(xiàng)前瞻技術(shù)攻關(guān)。峨眉山EPI平臺(tái)正在開發(fā)的橫向擴(kuò)散外延技術(shù)(Lateral Epitaxy),有望解決SiC外延材料成本瓶頸;阿里山ALD設(shè)備正在適配2nm節(jié)點(diǎn)所需的鈷/釕金屬沉積工藝,提前布局后摩爾時(shí)代。


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